Ученые создали полупроводниковый лазер, совместимый с кремниевыми чипами
Швейцарские ученые из Института Петер Грюнберга, Исследовательского центра Юлих и Института Пауля Шеррера создали полупроводниковый лазер, полностью состоящий из элементов группы IV таблицы Менделеева. Примечательно, что в эту группу входит кремний, значит теоретически новый лазер будет полностью совместим с кремниевыми микросхемами и микропроцессорами.
Разработка открывает новые перспективы перед инженерами и учеными, которые «лоббируют» новый тип более быстродействующей электроники, использующей в качестве сигнала не электрический ток, а свет. В частности можно будет значительно повысить быстродействие многоядерных компьютерных микропроцессоров, в которых связь между ядрами будет организована по более скоростным оптическим каналам.
Подобные световые электронные компоненты создавались и раньше, но теперь процесс разработки новой электроники может значительно ускориться, так как устранена основная проблема совместимости источников света и полупроводниковых элементов в чипе.
Для создания нового лазера швейцарские ученые использовали германий (Ge) и олово (Sn). Оказалось, что соединение GeSn пригодно для генерации и многократного усиления светового пучка, то есть для создания полноценного работоспособного лазера.
Кроме совместимости новый лазер еще и более долговечен по сравнению со старыми разработками, использующими в качестве полупроводника арсенид галлия (GaAs).
Источник информации: Исследовательский центр Юлих (www.fz-juelich.de)
| < Предыдущая | Следующая > |
|---|