Высокоскоростной транзистор на основе графена

Специалисты компании IBM создали высокоскоростной транзистор на основе графена. Созданный IBM прибор намного превосходит по быстродействию и диапазону рабочих температур свои аналоги на основе других полупроводников. Графен не впервые используется в электронике. Ранее инженеры из Германии и Италии создали ячейки памяти на основе графеновых нанолент.

Графен получил репутацию перспективного материала для производства различных электронных компонентов благодаря хорошей подвижности электрических зарядов внутри материала. Ранее в качестве подложки для листа графена использовали диэлектрик диоксид кремния. Это сильно влияло на подвижность электрических зарядов, поскольку подложка создавала эффект рассеивания носителей заряда. Эту проблему решили ученые из исследовательского центра «IBM Tomas Watson Research Center». Они создали на медной пленке, при помощи химического осаждения, лист графена, а потом перенесли его на подложку из углерода. Подложку в свою очередь разместили уже на диэлектрике.

Построенный специалистами полевой транзистор по вышеописанной технологии получился размером всего 40 нанометров. Частота среза на его амплитудно-частотной характеристике (АЧХ) получилась очень высокая – 155 ГГц. Как известно частота среза – один из основных параметров в определении быстродействия электронного компонентра. Причем в ходе испытаний новый высокоскоростной транзистор показал очень хорошие характеристики даже при криогенных температурах, которые негативно влияют на характеристики полупроводников.

Новый транзистор, работая на радиочастотах, может быть применен в медицинской технике, радарах, беспроводной связи и т.д.

< Предыдущая		Следующая >