Новый магнитно-электрический выключатель

29Июня2016

Автор: Становой Сергей

На данный момент все запоминающие устройства можно грубо разделить на два типа: электрические и магнитные. Первые хранят информацию, используя два состояния электрического сигнала (его присутствие и отсутствие), вторые используют упорядоченное и хаотичное расположение магнитных доменов в материале. А что если сделать устройство, которое смогло бы объединить в себе оба этих типа? Теоретически объем хранимых данных увеличился бы вдвое. Именно такой эксперимент провели недавно японские ученые из университета Хоккайдо.

Новая разработка представляет собой своеобразный сдвоенный магнитно-электрический переключатель. То есть одна ячейка памяти имеет уже не два состояния, а четыре: наличие и отсутствие электрического сигнала, а также хаотичное и упорядоченное расположение магнитных доменов. Причем переключение между этими состояниями происходит почти также быстро, как и в обычном твердотельном накопителе (жестком диске). Есть, конечно же, некоторые проблемы в плане быстродействия, но в целом устройство работает нормально.

Сам переключатель (ячейка памяти) представляет оксид кобальта, покрытый тончайшей пленкой танталата натрия. Рабочее напряжение для одной ячейки – всего 3 вольта, так что в принципе новый накопитель можно в будущем сделать также и портативным – как аналог USB-флэшки.

Японские исследователи небезосновательно полагают, что их изобретение позволит в будущем коренным образом изменить технологию создания накопителей информации для серверов, компьютеров, ноутбуков, планшетных ПК и прочих электронных устройств, оснащенных операционными системами. Так что их работа только начинается и впереди им предстоят продолжительные исследования и масса экспериментов.

Источник информации: Университет Хоккайдо (www.oia.hokudai.ac.jp)