Магниторезистивный эффект

31Января2014

Автор: Становой Сергей

Магниторезистивный эффект – это изменение электрического сопротивления какого-либо материала (предмета) под действием внешнего магнитного поля. То есть, к примеру, у нас есть кокой-то предмет определенной формы. Мы измеряем его сопротивление, записываем, а затем помещаем этот предмет в поле постоянного или электрического магнита и снова замеряем сопротивление в тех же точках. Так вот, если будет иметь место магниторезистивный эффект, то измеренные показания совпадать не будут.

Впервые магниторезистивный эффект был открыт британским физиком Уильямом Томсоном в 1856 году. Тогда ученый выявил похожие свойства лишь в некоторых материалах, но как показали более поздние научные изыскания в этой области – магниторезистивный эффект в той или иной степени может возникать практически у всех материалов и веществ.

Даже в сверхпроводниках, сопротивление которых практически равно нулю, при определенном значении силы магнитного поля появляется магниторезистивный эффект.

Наиболее сильно подвержены этому явлению полупроводники. Их сопротивление под действием магнитного поля может изменяться на сотни и даже тысячи процентов от нормального значения. А вот в металлах эффект выражен очень слабо.

Замечено также, что степень изменения электрического сопротивления материала зависит и от его ориентации в магнитном поле. К примеру, поперечное поле (силовые линии перпендикулярны поверхности материала) изменяет сопротивление в большей степени, нежели продольное (силовые линии направлены вдоль поверхности).

Используется магниторезистивный эффект в основном в датчиках магнитного поля.