Зарубежные умы

Уильям Гилберт - основатель понятия электричество

Окт032014
E-mail
Становой Сергей

Уильям ГилбертУильям Гилберт – известный английский физик, ученый, исследователь и одновременно придворный врач двух монархов, сделавший большой вклад в изучение электрических и магнитных явлений. Именно он впервые ввел в науку понятие «электричество».

 

Элмон Браун Строунджер – изобретатель АТС

Июн172014
E-mail
Становой Сергей

Строунджер Элмон Браун

Элмон Браун Строунджер – американский изобретатель, гробовщик по профессии, ставший после создания первой в мире автоматической телефонной станции (АТС) настоящим бизнесменом. Родился будущий отец АТС 19 октября 1839 года в городке Пенфилд, пригород  Нью-Йорка, в типичной американской семье.

   

Генри Раунд

Июн022014
E-mail
Становой Сергей

Генри РаундГенри Джозеф Раунд – британский ученый, изобретатель и исследователь родился 2 июня 1881 года в небольшом английском городке Кингсвинфорде, округ Стаффордшир. Вместе с другими учеными и изобретателями он стоял у истоков истории создания радио, первым наблюдал эффект электролюминесценции, который в последствие стал основой для создания светодиода. Был личным помощником Гульельмо Маркони и за всю свою научную и исследовательскую деятельность получил патенты на 117 изобретений, большинство из которых относились к области электроники.

   

Антонио Меуччи - истинный изобретатель телефона

Мар172014
E-mail
Становой Сергей

Антонио МеуччиАнтонио Меуччи – итальянский ученый и изобретатель. Считается, что именно он, а не Александр Грэхем Белл является истинным изобретателем первого телефона. Именно он за 5 лет до официального представления общественности первого устройства способного передавать речевой сигнал на расстояние при помощи проводов, создал подобный аппарат, но по каким-то не зависящим от него причинам не смог получить патент на свое изобретение.

   

Лео Эсаки - изобретатель туннельного диода

Мар092014
E-mail
Становой Сергей

Японский ученый, открывший туннельный эффект - Лео Эсаки

Лео Эсаки – японский физик, лауреат Нобелевской премии, экспериментально открывший туннельные явления в полупроводниках и создавший первый в мире туннельный диод, родился в семье японского архитектора 12 марта 1925 года в городе Осака.

   

Страница 5 из 8